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(为??孤??大佬加更!感谢大佬的礼物!!1)

坐在对面的张博翻开随身携带的笔记本,推了推眼镜,抛出了业内的现实:“吴总,周总。既然咱们要搞,我先说个现实。拿DRAM市场来说,韩国的三星、SK海力士,加上美国的美光,这三家巨头直接吃掉了全球百分之九十五以上的份额。”

“他们的专利壁垒高到了令人发指的地步。咱们现在随便画一个DRAM的底层单元结构,大概率都会直接撞上他们早就注册好的专利地雷。至于NANDFlash,情况稍微好一点点,但也是被三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士和英特尔这六家大厂拿走了百分之九十的市场。”

吴汉明听完,赞同地点了点头:“你说的这些许总心里很清楚。所以许总的战略意图非常明确,咱们绝对不一上来就去和这些国际巨头在通用市场上正面拼刺刀。”

“我们的第一步打法,叫应用导向定制化。由我们天芯自己定义规格、自己设计底层架构,然后拿着图纸去找国内的代工厂流片。”

张博听到“应用导向”四个字,眼睛顿时一亮。

“如果走应用导向定制化这条路,那我强烈建议直接从嵌入式存储芯片切入!”

张博的思路瞬间打开了,“比如eMMC、UFS闪存,还有LPDDR运行内存。这几类恰好就是目前汽车车机和智能手机里用量最大的存储类型。我们不需要像三星那样把芯片做得全球通用、去适配所有厂商的主板,我们只需要做到一点——完美满足天宇集团自家产品的需求就行了!”

工艺集成负责人刘志远也跟着点头:“嵌入式存储还有一个好处,它对先进制程的要求相对没那么苛刻。比如LPDDR4,用1x纳米的工艺就能跑;eMMC用2x纳米就完全足够了。”

“这种成熟制程,我们无论是轩辕半导体的八英寸线,还是跟国内其他代工厂的十二英寸线,都能完美匹配上。”

(解释:1xnm是DRAM行业对10nm级第一代工艺的统称,实际线宽大约在16-19nm之间。

NANDFlash的制程演进比DRAM慢,2xnm(20-29nm)的NAND颗粒在eMMC产品中应用很广泛)

吴汉明转过身,拿起马克笔在白板上写下了三个关键词:汽车存储、手机存储、代工绑定。

“思路理清了,咱们分三步走。”吴汉明用笔敲着白板
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